Sabtu, 30 April 2011

sakit..... lanjutan

Ternyata sakitnya masih belum kunjung hilang,, dan kembali berobat lagi, diberikan obat yang sama sewaktu saya sakit gigi yaitu asam mefenamat (yang berguna untuk menghilangkan rasa nyeri pada gigi dan kepala), metronidazol (Metronidazol efektif untuk bakteri anaerob dan protozoa yang sensitif karena beberapa organisme memiliki kemampuan untuk mengurangi bentuk aktif metronidazol di dalam selnya. Secara sistemik metronidazol digunakan untuk infeksi anaerobik, trikomonasis, amubiasis, lambiasis dan amubiasis hati), flamsy 50 (untuk meningkatkan daya tahan tubuh dan setelah pembedahan gigi) dan obat untuk sariawannya kandistatin nistatin (untuk Mengobati infeksi candida (moniliasis) pada rongga mulut,kerongkongan dan saluran pencernaan makanan).....
sakit saya itu sudah menyebabkan saya mengeluh,, maafkan hamba Ya Robb.. ternyata Engkau mengingatkan hamba dengan memberikan kabar bahwa ibu dari teman satu angkatan saya di kampus yang terkena kanker payudara. menurut teman saya melalui status2 nya di facebook, Beliau tak pernah mengeluh dan sabar menjalani cobaan dari Allah. beliau bahkan tak ingin dirawat dirumah sakit dan menyembunyikan penyakit dari keluarga nya hingga setahun, teman saya pun baru mengetahuinya baru beberapa bulan. yah itulah hidup, pilihan masing - masing.
kemudian saya pun teringat ayah saya yang tak pernah mengeluh walau telah kehilangan kakinya yang kiri hingga paha, Beliau sama sekali tidak mengatakan sakit, hanya di beberapa hari menjelang ajalnya, beliau mengeluhkan sudah ga kuat, ternyata memang akan dipanggil Allah SWT. kemudian belajar dari ibu saya juga yang diberikan penyakit darah tinggi dan jantung, tetapi beliau tetap semangat meminum semua obat yang diberikan dokter untuknya, itulah hidup, Allah justru akan menguji setiap hamba Nya...
Ya Robb... Maafkan hamba yang begitu mengeluhkan penyakit yang relatif masih ringan...

selengkapnya......

Kamis, 28 April 2011

sakit....

Hmmm.... sakit itu ga enak banget rasanyaa... makan ga enak, badan juga rasanya ga enak. jangan sampai sakit deh.... makanya dalam hadits Allah mengatakan jagalah sehatmu sebelum datang sakitmu... tapi kadang - kadang manusia suka lupa bila sehat, sering mengabaikan hal - hal yang kecil.
Ya Allah.. Ampunilah hambamu ini...
Pertama tama yang saya rasakan adalah sakit gigi yang terus menerus, kemudian minum obat pereda sakit warung ga mempan,, akhirnya berobat ke dokter gigi, mulai rontgen dan diperiksa dan ternyata bolong harus cabut gigi geraham kanan atas dan kiri atas, sakitnya sungguh menyiksa. Dan kemudian diberikan obat amoxicillin 500 mg (antibiotik yang tidak membunuh bakteri secara langsung tetapi dengan cara mencegah bakteri membentuk semacam lapisan yang melekat disekujur tubuhnya. Lapisan ini bagi bakteri berfungsi sangat vital yaitu untuk melindungi bakteri dari perubahan lingkungan dan menjaga agar tubuh bakteri tidak tercerai berai. Bakteri tidak akan mampu bertahan hidup tanpa adanya lapisan ini), juga asam mefenamat (yang berguna untuk menghilangkan rasa nyeri pada gigi dan kepala) dua - dua nya diminum 3x1 harinya.. setelah obatnya yang diberikan habis kembali lagi hari sabtu ke dokter dan ternyata masih sakit, tapi tidak terlalu sakit dilanjutkan dengan minum amoxicillin 500 mg kembali 3x1 hari tanpa asam mefenamat karena sudah tidak sakit bila diketuk - ketuk yang menyebabkan sakit karena sariawannya, dan asam mefenamat menyebabkan mual karena saya punya mag. saya pun dirumah menggunakan obat kumur betadin yang berangsur angsur pulih sariawan dimulut.
Hari selasa kembali lagi ke dokter, dan siap2 cabut gigi, sebenarnya sangat takut tetapi daripada gigi saya sakit terus saya menyiapkan diri untuk cabut gigi yang pertama kalinya, diketuk - ketuk giginya ternyata yang kanan masih sakit dan kiri tidak kemudian dokter bersiap untuk cabut gigi saya yang kiri, setelah pemeriksaan adzan berkumandang dan akhirnya saya dan dokter sholat dzuhur dulu kemudian baru melanjutkan cabut gigi, ternyata gigi geraham saya sulit sekali untuk dicabut, dimulai dari sebelum dzuhur periksa hingga ashar berkumandang dan sekitar jam 4 an baru benar - benar selesai. cabutan gigi pertama saya sangat menakutkan untuk saya, karena posisi gigi yang susah untuk dicabut dan akarnya yang ternyata bengkok menyebabkan susah sekali, padahal waktu itu ada dokter gigi lagi yang datang sebenarnya ingin pasang jaket gigi tapi malah ikut membantu dan ternyata memang susah juga, walaupun ada dua dokteer di ruangan itu. Dokter selalu menyebutkan bismillah dan saya pun selalu berdoa dalam hati seakan - akan saya tidak akan ada lagi di dunia ini, ini sungguh kenyataan karena saya juga seorang yang penakut, apalagi melihat tang besi yang mengoyak gigi saya, saya biasanya melihat tang itu untuk di bengkel karena saya anak elektro ataupun di rumah yang sering digunakan ayah atau abang saya bila dipakai untuk ngebenerin motor atau sesuatu. Ditengah pencabutan itu saya dan dokterpun hampir putus asa, tetapi sang dokter mencoba dan mencoba lagi dengan mengatakan nanti kamu may tambah sakit bangat klo dibawa pulang dengan hasil yang setengah begini,, saya pun hanya pasrah dan percaya karena ia adalah tetangga saya yang sangat percaya, kalau saja bukan beliau saya pun tidak akan berani untuk cabut gigi, tentu saja karena sakit ini menyiksa juga. Dokter itu juga mengatakan suntikan yang diberikan pun sudah sangat banyak dan akhirnya saya juga diberikan amoxicillin dan paracetamol (Paracetamol utamanya digunakan untuk menurunkan panas badan yang disebabkan oleh karena infeksi atau sebab yang lainnya. Disamping itu, paracetamol juga dapat digunakan untuk meringankan gejala nyeri dengan intensitas ringan sampai sedang dan untuk mengatasi sakit kepala atau sakit gigi) untuk diminum. Akhirnya saya hanya bisa berdoa dan pasrah dengan menutup mata, dan alhamdulillah setelah gigi saya dipatahkan dan dibelah - belah sehingga gigi saya pun bisa tercabut juga satu persatu hingga yang paling terakhir saya mendengar dua dokter berdiskusi tinggal parentalnya. Dengan rasa syukur semua orang yang ada di dalam ruangan dua dokter gigi, perawat dan saya pun mengucapkan alhamdulillah. Lalu bekas cabutan dijahit dan diberi kapas betadin yang saya gigit. Dan diberikan obat amoxicillin 500 mg, paracetamol, metronidazol (Metronidazol efektif untuk bakteri anaerob dan protozoa yang sensitif karena beberapa organisme memiliki kemampuan untuk mengurangi bentuk aktif metronidazol di dalam selnya. Secara sistemik metronidazol digunakan untuk infeksi anaerobik, trikomonasis, amubiasis, lambiasis dan amubiasis hati), flamsy 50 diclofenac potassium (untuk meningkatkan daya tahan tubuh dan setelah pembedahan gigi), dan juga promag karena saya punya mag.
Kemudian saya pulang dan membuang kapasnya dan minum air dingin agar darahnya menjadi beku, kemudian makan dan minum obat yang diberikan kecuali amoxicillin dan paracetamol karena sudah diminum, kemudian sholat ashar dan mulai terasa bekas pencabutan seakan terkoyak - koyak kemudian mengantuk dan tertidur.
paracetamol diminum 3 - 4 kali sehari dengan waktu 6 jam sekali.
Rutin saya minum obatnya kemudian timbul sariawan parah, juga di sekitar sudut bibir sehingga sulit untuk menggerakkan bibir, saya oleskan albothyl dengan rasa yang perih sekali,  dan karena obat minumnya pun habis kembali lagi ke dokter pada hari jum'at untuk periksa dan ternyata bekas tarikan bibir untuk mencabut gigi yang di bagian belakang itu mengakibatkan perleche (kelainan pada sudut mulut yang disebabkan jamur) yang saya kira sariawan, kemudian diberikan obat salep kenalog ( untuk Infeksi mulut atau tenggorokan yang disebabkan oleh jamur atau bakteri,
lesi herpetis yang diketahui berasal dari virus atau lesi dalam mulut) karena menurut dokter tidak cocok dengan albothyl akan mengakibatkan bekas hitam nantinya.
, flamsy 50 diclofenac potassium, amoxicillin, metronidazol, surbex z ( vitamin yang mengandung Vitamin E 30 iu, Vitamin C 750 mg, Asam Folat 400 µg, Vitamin B1 15 mg, Vitamin B2 15 mg, Niasin 100 mg, Vitamin B6 20 mg, Vitamin B12 12 µg, Asam Pantotenat 20 mg, Seng 22,5 mg) dan promag,
kemudian esok hari nya mulai meriang dan timbul radang tenggorokan, esoknya minggu saya mulai panik karena makin parah radangnya dan perleche nya makin sakit sehingga susah bicara dan menggerakkan mulut, akhirnya menghubungi dokternya untuk bertanya dan dokternya mengatakan metronidazol dihentikan karena berakibat ke lambung, sehingga asamnya naik ke tenggorokan, akhirnya minggu malam pergi ke dokter umum dan diberikan amoxicillin, kandistatin nistatin (untuk Mengobati infeksi candida (moniliasis) pada rongga mulut,kerongkongan dan saluran pencernaan makanan), pondex forte dan obat kecil berwarna putih yang diplastik, tidak ada namanya juga plantacid (Mengurangi gajala kelebihan asam lambung, tukak lambung, tukak usus 12 jari seperti mual, kembung, perasaan penuh pada lambung).
Kemudian semalam, rabu malam saya kembali berobat karena radang belum sembuh juga akan tetapi badan sudah fit atau tidak demam lagi, dan saya diperiksa lagi dan diberikan obat tromilin Erythromycin (untuk mengatasi infeksi bakteri yang sensitif terhadap eritromisin seperti, S.pyogenes, termasuk S.pneumoniae, S.aereus, M.pneumoniae, Legionella pneumophilia, diphtheria pertusis, choncroid, Chlamydia, erytrasma, N.gonorrhoeae, E.histolitica, siphilis dan nongonococcal urethritis, dan campylobacter gastroenteritis; digunakan untuk terapi konjungtifitis dengan neomosin), tramadol (Tramadol adalah analgesik kuat yang bekerja pada reseptor opiat. Tramadol mengikat secara stereospesifik pada reseptor di sistem syaraf pusat sehingga memblok sensasi rasa nyeri dan respon terhadap nyeri. Disamping itu tramadol menghambat pelepasan neurotransmitter dari syaraf aferen yang sensitif terhadap rangsang, akibatnya impuls nyeri terhambat), dinazen loratadine (untuk mengobati gejala-gejala yang berhubungan dengan rinitis alergi, seperti pilek, bersin-bersin, rasa gatal pada hidung serta rasa gatal dan terbakar pada mata. Selain itu loratadine juga mengobati gejala-gejala seperti urtikaria kronik dan gangguan alergi pada kulit lainnya) dan obat yang berwarna orange yang tidak ada nama nya dan juga meneruskan plantacid dan kandistatin nistatin yang masih ada.
sehat itu sungguh mahal dan berharga sekali,, jaga sehat mu kawan sebelum sakitmu...
Ya Allah semoga penyakit ini sebagai penggugur dosa - dosa hamba Mu ini Ya Robb..
karena Rasulullah juga bersabda "Seorang mu'min yang sakit, ia tidak mendapatkan pahala dari sakitnya, namun diampuni dosa-dosanya" (H.R. Thabrani). Dalam hadist lain riwayat Anas Rasulullah bersabda "Seorang mu'min yang sakit lalu sembuh, maka ia laksana salju yang turun dari langit, karena bersihnya" (H.R. Bazaar). juga Dalam hadist lain dikatakan :"Ketika seorang hamba diberi sakit pada badannya, maka Allah berkata kepada malaikat "tulislah kebaikan-kebaikan yang biasa dilakukannya ketika sehat, kalau ia sembuh mandikanlah ia dan bersihkan. Kalau ia meninggal maka Allah mengampuninya" (H.R. Ahmad).
juga saya harus bersabar seperti nabi Ayub yang senantiasa bersabar diberi sakit yang berkepanjangan, Dan (ingatlah kisah) Ayub, ketika ia menyeru Tuhannya: “(Ya Tuhanku), Sesungguhnya aku telah ditimpa penyakit dan Engkau adalah Tuhan yang Maha Penyayang di antara semua Penyayang”. Maka Kamipun memperkenankan seruannya itu, lalu Kami lenyapkan penyakit yang ada padanya dan Kami kembalikan keluarganya kepadanya, dan Kami lipat gandakan bilangan mereka, sebagai suatu rahmat dari sisi Kami dan untuk menjadi peringatan bagi semua yang menyembah Allah. (Al Quran Surah Al Anbiyaa’ [21]:83-84).
Bahkan Allah menjanjikan apabila orang yang sakit apabila ia bersabar dan berikhtirar dalam sakitnya, selain Allah menghapus dosa-dosanya. “Tidaklah seorang muslim tertimpa derita dari penyakit atau perkara lain kecuali Allah hapuskan dengannya (dari sakit tersebut) kejelekan-kejelekannya (dosa-dosanya) sebagaimana pohon menggugurkan daunnya.” (Diriwayatkan oleh Imam Muslim).
semoga Allah mengampuni dosa - dosa hamba Mu ini dan menyembuhkan penyakit ini, karena semua adalah kekuasaan Mu ya Robb...

Dan semoga yang membaca ini dalam keadaan sehat wal afiat...
Amin Ya Robbal Alamin...

selengkapnya......

Senin, 11 April 2011

soal 2

jawablah pertanyaan di bawah ini dengan benar!

1) Pada Transistor tertentu, arus kolektor sama dengan 5,6 mA dan arus emitter sama dengan 5,75 mA.      Berapakah alpha dc?


2) Arus basis dalam transistor sama dengan 0,01 mA dan arus emitter sama dengan dengan 1mA. Berapakah alpha dc?


3) Pada Transistor, kita mengukur Ic = 100 mA dan Ib = 0,5 mA. Berapakah beta dc?


4) Transistor mempunyai beta dc = 150. Jika arus kolektor sama dengan 45 mA, berapakah arus basis?


5) Transistor mempunyai alpha dc = 0,095. Berapakah beta dc? Jika suhu 100 C, alpha dc naik menjadi 0,998. Berapakah harga beta dc pada suhu ini?





6) Dalam gambar misalkan arus basis 1 mA dan arus emitter 200 mA. Berapakah harga beta dc?


7) Transistor mempunyai beta dc = 400. Dalam gambar, berapakah arus basis jika arus emitter sama dengan 50 mA?


#Sumber : Prinsip - prinsip Elektronik (Albert Paul Malvino, Ph. D)

selengkapnya......

soal transistor

Isilah jawaban dibawah ini dengan benar..... 

Soal pilihan ganda

1. Transistor mempunyai daerah yang di dop sebanyak….
     a. 1
     b. 2
     c. 3
     d. 4


2. Kebanyakan electron yang melalui basis akan….
    a. Mengalir ke kolektor
    b. Mengalir keluar dari basis
    c. Menyatu dengan lubang basis
   d. Menyatu dengan lubang kolektor


3. Jika dioda emitter dan dioda kolektor dibias kolektor dibias forward dinamakan bias…
    a. Bias forward – forward
    b. Bias reverse – reverse
    c. Bias forward – reverse
    d. Bias forward


4. Untuk operasi normal transistor, dioda kolektor harus…
    a. Forward bias
    b. Tidak menghantar
    c. Reverse bias
    d. Bekerja pada daerah breakdown


5. Arus mengalir keluar dari transistor bipolar melalui terminal….ketika komponen ini disambungkan ke rangkaian.
    a. Emitter
    b. kolektor
    c. basis
    d. gate


6. Pada transistor arus yang memiliki nilai arus yang paling besar adalah…
    a. Arus emitter
    b. Arus kolektor
    c. Arus basis
    d. Arus bocor


7. Tegangan basis – emitter untuk transistor ideal…
    a. 0 v
    b. 0,3 v
    c. 0,7 v
    d. 1 v


8. Di antara ketiga kaki transistor yang paling sedikit memiliki electron adalah..
    a. Emitter
    b. Basis
    c. kolektor
    d. emitter dan kolektor


9. Jika hokum kirchoff I diterapkan pada transistor, maka akan memberikan hubungan…
    a. IC = IE + IB
    b. IE = IC + IB
    c. IE = IC – IB
    d. IC = IE - IB


10. Karakteristik transistor dapat dilukiskan dengan kurva…
    a. Kurva parametric
    b. Kurva input
    c. Kurva ouput
    d. Kurva transistor


11. Untuk menggambar kurva kolektor diperlukan nilai…
    a. IB & VBE
    b. IB & VCE
    c. IC & VCE
    d. IC & VBE


12. Untuk mencari VCE pada kurva kolektor digunakan rumus…
    a. VCE = VCC
    b. VCE = VCC – ICRC
    c. VCE = VC – VE
    d. VCE = VCE (SAT)


13. Daerah dengan VCE kurang dari tegangan knee (VK) disebut daerah…
    a. Aktif
    b. Saturasi
    c. Cutoff
    d. breakdown


14. Arus kolektor pada kurva kolektor dipengaruhi oleh tegangan …
    a. VBE
    b. VCE
    c. VCC
    d. VBB


15. Dengan bertambahnya VCE pada kurva basis, maka lebar pengosongan disambungkan kolektor..
    a. Berkurang
    b. Bertambah
    c. Tidak berubah
    d. Tidak ada


16. Pada kurva basis yang menjadi parameter adalah…
    a. VBE
    b. VCE
    c. VCC
    d. VCB


17. Daerah dimana sambungan emitter & sambungan kolektor dibias forward disebut daerah…
    a. Aktif
    b. Saturasi
    c. Cutoff
    d. Breakdown


18. Pada daerah breakdown, transistor…
    a. Bekerja dengan baik
    b. Kondisi on & off
    c. Terjadi penguatan sinyal
    d. Tidak boleh bekerja


Soal Essay


1. Gambarkan dan jelaskan bias forward – forward, bias reverse – reverse dan bias forward – reverse!
2. Gambarkan kurva kolektor, kurva basis dan kurva beta!
3. Tunjukkan pada kurva basis daerah saturasi, daerah aktif, daerah cutoff, dan daerah breakdown!

selengkapnya......

Rangkaian bias transistor - Bias Pembagi tegangan

Gambar 1
Gambar 1 menunjukkan bias pembagi tegangan, bias yang paling banyak dipakai dalam rangkaian – rangkaian diskrit linear. Nama “pembagi tegangan” (“voltage divider”) berasal dari pembagi tegangan yang dibentuk oleh R1 dan R2. Tegangan pada R2......membias forward dioda emitter. Seperti biasa, catu VCC membias reverse dioda kolektor. 

Arus Emiter
Rangkaian bias pembagi tegangan yang khusus bekerja sebagai berikut. Arus basis dalam gambar 1 kecil sekali dibandingkan dengan arus dalam R1 dan R2. Akibatnya kita dapat menggunakan teorema pembagi tegangan untuk mendapatkan tegangan pada R2.

Persamaan 1
Hukum tegangan kirchoff memberikan
VE = V2 – VBE …………………………… persamaan 2


Ini menyatakan tegangan pada resistor emitter sama dengan tegangan pada R2 dikurangi dengan jatuh tegangan VBE . karena itu, arus emitter adalah

Persamaan 3
Tegangan Kolektor – Emiter
Tegangan kolektor ke tanah VC sama dengan tegangan catu dikurangi jatuh tegangan pada resistor kolektor :
VC = VCC – IC x RC ............................ persamaan 4


Tegangan emitter ke tanah adalah :
VE = IERE …………………….. persamaan 5


Tegangan kolektor ke emitter adalah
VCE = VC – VE = VCC – ICRC – IERE
VCE = VCC – IC(RC + RE)…………………. Persamaan 6


Atau
Karena IC dan IE hampir sama.
Jika dalam gambar 1 arus kolektor yang mengalir terlalu banyak, transistor menuju ke penjenuhan. Secara ideal ini berarti suatu hubungan singkat antara terminal kolektor – emitter, dengan arus penjenuhan sebesar

Persamaan 7







Sebaliknya jika transistor beroperasi dalam daerah titik sumbat (cutoff) tidak ada arus kolektor yang mengalir, dan semua tegangan catu muncul pada terminal kolektor – emitter :

VCE(cutoff) = VCC …………………. Persamaan 8


Karena itu garis beban dc melewati perpotongan vertical sebesar VCC/(RC + RE) melalui perpotongan horizontal pada VCC. Titik Q akan terletak pada garis beban ini, kedudukannya ditentukan dengan persamaan 3 dan 6.


Contoh soal
1) Gambar garis beban dc untuk gambar 2. Dimanakah titik Q?

Gambar 2












Jawaban
Jika transistor beroperasi dalam daerah titik sumbat (cutoff), semua tegangan catu muncul pada terminal kolektor – emitter, memberikan
VCE (cutoff) = VCC = 30 V




Gambar 3 menunjukkan garis beban dc
Gambar 3










Tegangan pada resistor basis 10 KΩ adalah 10 V (gunakan teorema pembagi tegangan ). Jatuh tegangan dioda emitter 0,7 V, yang meninggalkan tegangan 9,3 V pada resistor emitter RE. Jadi



Karena alpha dc mendekati satu,
IC = IE = 1,86 mA
Tegangan kolektor – emitter adalah
VCE = VCC – IC(RC + RE) = 30 – 1,86(0,001)9000
= 13,3 V

selengkapnya......

Rangkaian bias transistor - Arus Basis

Gambar 1







Gambar diatas adalah contoh dari bias basis. Sebuah sumber tegangan VBB membias forward dioda emitter melalui resistor yang membatasi arus RB. Hukum tegangan kirchoff menyatakan tegangan pada RB adalah VBB – VBE. Hukum ohm memberikan arus basis..........
Persamaan 1
Dimana VBE = 0,7 V untuk transistor silicon (0,3 V untuk germanium).

Garis Beban dc


Dalam Rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff,


VCE = VCC – IC.RC …………………persamaan 2


Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah variable.
Kita dapat menyusun kembali persamaan 2 untuk mendapatkan :

Persamaan 3







Seperti dibuktikan dalam matematika dasar, grafik dari persamaan linear selalu berupa garis lurus dengan kemiringan m dan perpotongan vertical b.
Gambar 2

Gambar 2 menunjukkan grafik dari persamaan 3 memotong kurva – kurva dari kolektor. Perpotongan vertical adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC, dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor.
 



Contoh soal 1

Gambar 3
Transistor 2N3904 dalam gambar 3 adalah transistor silicon dengan Βdc sebesar 100. Berapakah harga yang akan dibaca oleh voltmeter dc pada terminal kolektor – emitter ?

 



Jawaban :
Mula – mula dapatkan arus basis. Arus tersebut sama dengan jatuh tegangan pada resistor. Basis dibagi dengan resistansi :











Arus kolektor adalah
IC = βdc x IB = 100 x 9,3 µA = 0,93 mA


Tegangan kolektor – emitter sama dengan tegangan catu kolektor dikurangi dengan jatuh tegangan pada resistor kolektor :
VCE = VCC – (IC x RC) = 20 – (0,93(0,001)5(1000)) = 15,4 V


Gambar 3 menunjukkan rangkaian yang sama dalam system pertanahan negative (negative – ground system). Untuk menyederhanakan hanya kita perlihatkan tegangan catu +10 V dan +20 V. Jika anda melihat skema yang disederhanakan seperti gambar 4, ingat bahwa kali ini berarti terminal – terminal negative dari pencatu daya ditanahkan untuk mendapatkan lintasan yang lengkap untuk arus.

Gambar 4













Contoh soal 2
Transistor 2N4401 dalam gambar 5 adalah transistor silicon dengan βdc sebesar 80. Gambarkan garis beban dc. Dimanakah titik Q jika RB = 390 kΩ

Gambar 5













Jawaban




VCE (cutoff) = VCC = 30 V
Gambar 6 menunjukkan garis beban dc. Dapatkan titik Q sebagai berikut.

Gambar 6



Arus kolektor adalah
IC = βdc x IB = 80 x 75,1 µA = 6 mA
VCE = VCC – IC x RC = 30 – 6(0,001)1,5(1000) = 21 V


Gambar 6 menunjukkan titik Q. Koordinatnya adalah IC = 6 mA dan VCE = 21 V. Ingat bahwa titik Q terletak pada garis beban dc karena garis beban menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Jika kita ingin mengubah harga dari RB titik Q akan bergeser ke titik lain pada garis beban.


Contoh soal 3

Transistor dalam gambar 7 mempunyai βdc sebesar 80 dan VCE(sat) = 0,1 V. RB diatur untuk mencapai penjenuhan transistor. Berapakah harga dari IC(sat)? harga RB yang bersangkutan?

Gambar 7
Jawaban
Jika kita mengurangi RB, arus basis bertambah, arus kolektor bertambah, dan tegangan jatuh pada RC bertambah; ini mengurangi tegangan kolektor – emitter. Akhirnya, VCE berkurang menjadi 0,1 V. pada titik ini, dioda kolektor tepat kehilangan reverse bias, mencegah penambahan lebih lanjut dari arus kolektor. Transistor dijenuhkan dan arus kolektor adalah





Ini adalah arus kolektor maksimum yang dapat anda peroleh dalam gambar 7.
Arus basis adalah




Dan resistansi basis adalah



Jika anda lanjutkan pengurangan RB, arus basis bertambah, tetapi arus kolektor akan tetap 114 mA. Sepintas lalu terlihat bahwa harga dari arus penjenuhan kolektor adalah





Dalam transistor daya rendah, VCE (sat) hanya beberapa persepuluh volt, cukup kecil untuk diabaikan. Sebagai pendekatan banyak orang membayangkan terminal kolektor – emitter terhubung singkat, ekivalen dengan VCE = 0. Jika transistor dalam gambar 7 jenuh, karena itu, kolektornya secara idealnya terhubung singkat ke tanah.
Arus kolektor melalui resistor 220 Ω mengalir ke bawah menghilang ke kolektor, serupa dengan air menghilang ke bawah melalui saluran buang. Inilah sebabnya transistor dengan emitter ditanahkan disebut pelepas arus (current sink); arus kolektor mengalir ke bawah melalui pelepas arus ke dalam tanah.
 

Contoh soal 4
Gambar garis beban dc dalam gambar 8 untuk RC = 20 kΩ

Gambar 8











Jawaban
Jika transistor beroperasi dalam daerah jenuh, kolektornya secara ideal ditanahkan. Dalam hal ini, semua tegangan muncul pada resistor kolektor dan




Karena itu, pada keadaan jenuh, transistor melepaskan 1 mA ke tanah.
Jika transistor bekerja dalam daerah titik sumbat (cutoff) terminal kolektor – emitter nya tampak terbuka, karena itu, semua tegangan catu muncul pada terminal terbuka ini, dan
VCE(cutoff) = 20 V

Gambar 9











Gambar 9 menunjukkan garis beban dc (yang ke bawah).
 

Contoh soal 5
Reaktansi kapasitif berbanding terbalik terhadap frekuensi. Karena ini, kapasitor mempunyai reaktansi tak berhingga terhadap frekuensi nol, ekivalen dengan keadaan terbuka untuk dc. Berapakah tegangan kolektor – emitter dalam gambar 10? Gunakan beta dc sebesar 100 untuk transistor 2N3904 dan sebesar 80 untuk transistor 2N4401)

Gambar 10







Jawaban
Mula – mula bayangkan semua kapasitor terbuka terhadap dc. Maka arus dc dalam transistor yang satu tidak berpengaruh terhadap yang lainnya. Arus basis dalam transistor 2N3904 adalah :




Dan arus kolektor adalah
IC = βdc IB = 100 x 9,65 µA = 0,965 mA


Tegangan kolektor – emitter dari transistor pertama adalah
VCE = VCC – ICRC = 20 – 0,965(10-3)15(103) = 5,53 V


Arus basis dari transistor 2N4401 adalah




Dan arus kolektor adalah
IC = βdc IB = 80 x 0,193 mA = 15,5 mA


Tegangan kolektor – emitter dari transistor kedua adalah
VCE = VCC – ICRC = 20 – 15,5(10-3)680 = 9,46 V

selengkapnya......

Hubungan antara αdc dan βdc

Hukum arus kirchoff menyatakan :
IE = IC + IB
Dengan dibagi IC maka







.........
Atau

 





Dengan aljabar, kita dapat menyusunnya menjadi

 






Sebagai contoh, jika αdc = 0,98 harga βdc adalah

 




Adakalanya kita memerlukan rumus untuk αdc dalam term βdc . dengan aljabar kita dapat menyusun persamaan menjadi

 






Misalnya, untuk βdc = 100,



selengkapnya......

Minggu, 10 April 2011

Karakteristik Transistor

Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu cara untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan tegangan.... 

Kurva Kolektor

Gambar 1
Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda. 

Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.
Gambar 2
Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.


Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.
Gambar 3
Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit.
Gambar 4
Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira – kira 100 kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE.


1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.
3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB


Kurva basis


kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut.
Gambar 5
 

Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter – basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis.




Gambar 6
 







Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE = 0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect.

Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
 

Kurva beta (β)

Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan turun.


Gambar 7
Garis beban transistor


Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC.


Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah variabel. Sehingga
 

Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b
 

Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus dengan kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
Gambar 8
Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC, dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor. 


Daerah operasi transistor
 

sebuah transistor memiliki empat daerah operasi transistor, yaitu :
1. Daerah aktif
2. Daerah cutoff
3. Daerah saturasi
4. Daerah breakdown


Daerah aktif

 
Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.


jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian CE ), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC – IC RC
 

dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE . IC
 

dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
 

Daerah cut off
 

jika kemudian tegangan vcc dinaikkan perlahan – lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba – tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cutoff yaitu dari keadaan saturaasi (on) menjadi mati (off). Perubahan ini digunakan pada sistem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat dipresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
 

Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0, pada titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan (hanya arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat, dioda emiter kehilangan forward bias, dan keerja transistor yang normal terhenti.
VCE(CUT OFF) = VCC
 

daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan knee (VK ). Kondisi jenuh adalah kondisi dimana pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi pembawa minoritas ke arus basis.
Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan (saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor adalah maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja transistor yang normal terhenti.
IC = VCE/RC
Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah
IB (SAT) = IC (SAT)/βdc

selengkapnya......

Minggu, 03 April 2011

powerpoint transistor - lanjutan

powerpoint transistor - lanjutan

selengkapnya......

transistor - lanjutan

Jika transistor diberikan tegangan bias dari luar maka ada beberapa cara untuk mem – bias sebuah transistor, antara lain :
1. Bias forward – forward
2. Bias reverse – reverse
3. Bias forward – reverse

Bias forward – forward

Gambar 1.a menggambarkan bias forward – forward (FF). Dinamakan demikian karena dioda emiter dan dioda kolektor dibias forward. Rangkaian yang mengemudikan dioda emitter dan kolektor boleh digumpalkan seperti yang ditunjukkan atau boleh diwakili rangkaian thevenin. Pembawa melewati junction dan mengalir ke bawah melalui basis ke kawat basis luar. 

Gambar 1.b menunjukkan rangkaian ekivalen untuk bias FF. Tegangan emiter - basis VEB membias forward dioda emitter dan menghasilkan arus konvensional IE. Sama halnya, tegangan kolektor-basis VCB membias forward dioda kolektor, menyebabkan aliran arus konvensional.


 



Bias reverse – reverse
Kemungkinan lain adalah membias transistor reverse – reverse (RR) seperti ditunjukkan gambar 2.a Sekarang kedua dioda dibias reverse. Untuk keadaan ini, hanya arus kecil yang mengalir yang terdiri dari arus saturasi yang dihasilkan secara thermal dan arus bocor permukaan. Komponen yang dihasilkan secara thermal bergantung pada suhu dan kira – kira berlipat dua kali lipat setiap kenaikan 0o . komponen bocor permukaan, sebaliknya bertambah dengan bertambahnya tegangan. Arus reverse ini biasanya diabaikan.


Gambar 2.b adalah rangkaian ekivalen untuk bias RR. Kedua dioda terbuka, kecuali jikaa VEB dan VCB melampaui tegangan breakdown dioda.


 




Bias forward – reverse

Dioda emitter dibias forward, dioda kolektor dibias reverse dan terjadi yang tak diharapkan. Gambar 3.a menunjukkan bias forward – reverse (FR). Kita mengharapkan arus emitter yang besar karena dioda emitter dibias forward. Tetapi kita tidak mengharapkan arus kolektor yang besar karena dioda dibias reverse.


Penjelasan pendahuluan


Inilah penjelasan singkat mengapa kita peroleh arus kolektor yang besar pada gambar 3.a. pada saat bias forward diberikan pada dioda emitter, elektron – elektron dalam emitter belum memasuki daerah basis (lihat gambar 3.b). jika VEB lebih besar dari pada poteensial barrier, banyak elektron emitter memasuki daerah seperti ditunjukkan gambar 3.c. elektron – elektron ini dalam basis dapat mengalir ke dua arah yaitu ke bawah basis yang tipis menuju kawat basis atau melewati junction kolektor menuju ke dalam daerah kolektor.


Agar elektron mengalir ke bawah melalui daerah basis, mereka harus terlebih dahulu jatuh ke dalam hole yaitu rekomendasi dengan hole basis. Kemudian, sebagai elektron valensi mereka dapat mengalir ke bawah melalui hole basis yang berdekatan dan ke dalam kawat baasis luar. Komponen ke bawah dari arus basis ini disebut arus rekomendasi. Arus ini kecil karena basis didop sedikit sehingga mempunyai hole sedikit.


Dalam gambar 3.c basis sedang penuh dengan elektron pita konduksi yang dimasukkan dan menyebabkan difusi ke dalam lapisan pengosongan kolektor. Sekali memasuki pelapisan ini, mereka didorong oleh medan lapisan pengosongan ke dalam daerah kolektor (lihat gambar 3.d). elektron – elektron ini kemudian dapat mengalir ke dalam kawat kolektor luar.


Pada gambar 3.d kita bayangkan aliran mantap elektron meninggalkan terminal negatif sumber dan memasuki daerah emiter. Bias forward memaksa elektron emiter ini maasuk ke daerah basis. Basis yang tipis dan didop sedikit memberi hampir semua elektron ini waktu hidup yang cukup untuk berdifusi ke dalam lapisan pengosongan kolektor. Medan lapisan pengosongan kemudian mendorong arus mantap elektron ke dalam daerah kolektor. Elektron ini meninggalkan kolektor, memasuki kawat kolektor dan mengalir ke dalam terminal postif sumber tegangan kolektor. Hampir semua transistor, lebih dari 95% elektron yang diinjeksikan emiter mengalir ke kolektor dan kurang dari 5% jatuh ke dalam hole basis dan mengalir ke luar ke kawat basis.


Diagram potensial pada transistor pada bias forward reverse


Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emiter – basis (VEB) akan mengurangi potensial penghalang VO , sehingga pembawa muatan mayoritas pada emiter akan mudah untuk berekomendasi ke basis. Namun karena konduktivitas basis yang rendah dan tipisnya basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh adanya beda potensial pada basis kolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias reverse VCB.


Alpha dc


Jika kita berkata bahwa lebih dari 95% dari elektron yang diinjeksikan mencapai kolektor, sama saja bahwa arus kolektor hampir sama dengan arus emiter. Alpha dc suatu transistor menunjukkan bagaimana dekatnya harga kedua arus tersebut.
Makin tipis dan makin sedikit basis didop, makin besar αdc. Secara ideal, jika semua elektron yang diinjeksikan pergi ke kolektor, αdc sama dengan 1.


Tegangan breakdown


Karena dua dari setengah transistor adalah dioda, tegangan reverse yang terlalu besar pada kedua dioda dapat menyebabkan breakdown. Jika VCB terlalu besar, dioda kolektor breakdown dikarenakan longsor atau karena reach – through effect (juga dikenal sebagai punch – through).
Reach – through berarti lapisan pengosongan kolektor sangat lebar sampai mencapai lapisan pengosongan emiter. Jika ini terjadi, elektron emiter diinjeksikan langsung ke dalam lapisan pengosongan kolektor. Bahkan dengan sedikit saja lapisan pengosongan overlap, arus kolektor dapat menjadi cukup besar untuk merusak transistor. 


Longsor (avalanche) dan reach – through tidak disukai pada transistor biasa. Untuk menghindari kedua hal tersebut dapat dilakukan dengan menjaga tegangan kolektor selalu lebih kecil daripada tegangan breakdown. 


Cara kerja Transistor


Transistor bipolar umumnya terbentuk dari sambungan PNP atau NPN dengan bahan silikon (Si) atau germanium (Ge). Sambungan tersebut dihasilkan dari sebuah dari irisan silikon yang dicampurkan ddengan bahan pengotor melalui proses masking yang tereduksi secara fotografis. Transistor – transistor silikon lebih unggul dibandingkan dengan germanium.
untuk menggunakan sebuah transistor, maka kita harus menyambungkannya sedemikian rupa sehingga :
1) Terminal emiter adalah terminal dengan polaritas paling negatif
2) Terminal kolektor beberapa volt lebih positif dibandingkan terminal emiternya
3) Terminal basis lebih positif 0,7 V daripada terminal emiter

selengkapnya......